記憶體大廠每年擴增40%高昂資本支出,致力提升3D NAND產能

據調研機構 IC Insights 指出,預計全球主要 NAND 供應商將大幅擴大資本支出,來拉高產能,估計今年的 NAND 記憶體價格將進一步走跌。之所以有這麼龐大的資金成長,是各廠都積極往 3D NAND 方向佈局。

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手機將邁入 TB 級容量世代,三星宣布第五代 V-NAND 技術顆粒嵌入式儲存記憶體可達 1TB

現在不少中階智慧手機內建的儲存空間已經自 128GB 起跳,不過隨著高品質多媒體檔案與使用者的智慧手機使用行為對儲存空間日益增加,也需要相當大的儲存空間,旗艦機種甚至提供 512GB 的選項;然而三星已經準備好將智慧手機的儲存空間推向 1TB 等級。 三星宣布他們已經開始量產基於 eUFS 2.1 規範的 1TB 快閃記憶體顆粒,基於三星第五代 V-NAND 技術,以 16 層堆疊的 512Gb 顆粒搭配專利的整合型控制器構成,在與前一世代 512GB 的 eUSF 顆粒相同的封裝大小提供高出一倍的儲存容量。 且由於採用新技術,三星的 1TB eUSF 2.1 顆粒可提供 1,000MBps

Micron 聯手 Intel 開發 4bit QLC 顆粒,推出具 7.68TB 的 5210 ION 企業級 2.5 吋 SSD

美光宣布推出一款企業級的 SSD 產品 5210 ION ,最大的特色是採用與 Intel 合作的 4bit QLC 3D NAND Flash ,相較目前 3bit TLC 顆粒有更高的密度,這款產品也因此達到最高 7.68TB 的大容量。 5210 ION 的 QLC 顆粒以 64 層 3D Flash 工藝,強調單一顆粒最高可達 1Tb 容量密度,較 TLC 高出 33% 容量密度,也是目前業界最高密度的顆粒;而採用 4bit QLC 顆粒的 5210 ION 可提供自 1.92TB 到最大 7.68TB 的容量,以 7mm 2.5 吋硬碟 SATA 介面設計作為載體。 新聞來源:美光

將 3D NAND 技術帶到行動裝置市場, SanDisk 發表 USF 與 eMMC 雙介面 iNAND 嵌入式快閃記憶體

3D NAND 快閃記憶體技術已經逐漸在許多桌上型電腦的 SSD 中被採用,而 WD 集團旗下的知名快閃記憶體品牌 SanDisk 也宣布將 3D NAND 技術帶到行動裝置領域,推出基於 3D NAND 技術的 iNAND 嵌入式快閃記憶體產品線,包括 UFS 介面的 iNAND 8521 和 e.MMC 介面的 iNAND 7550 ,兩款產品線最大容量提供 256GB 。 iNAND 8521 為新一代旗艦型嵌入式記憶體產品,採用 UFS 2.1介面以及 Western Digital 第五代 SmartSLC 技術,相較前一代旗艦級產品 iNAND7232 在連續寫入性能提升 2 倍,